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硅半导体器件辐射效应及加固技术 【工业技术】
刘文平著；刘佑宝审2013 年出版222 页ISBN：9787030387028本书重点分析讨论了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法，包括：空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的分析，硅双极半导体器件、MOS器件、C...
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功率半导体器件与应用 【工业技术】
（瑞士）斯蒂芬·林德著；肖曦，李虹译2016 年出版183 页ISBN：9787111534570功率半导体器件又被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换装置的核心器件。本书基于前两章的半导体物理基础，详细介绍了目前最主要的几类功率半导体器件，包括pin二极管、晶闸管、门极关...
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碳化硅半导体材料与器件 【工业技术】
（美）迈克尔·舒尔著2012 年出版332 页ISBN：9787121177552碳化硅属于第三类半导体材料，即宽禁带半导体研究最广泛的材料之一，也是最早被发现的半导体材料，由于其优越的性能，使其能满足高温、大电流、高频及强辐射环境应用。本书系统介绍了碳化硅半导体材料及器件。前两...
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金属氧化物半导体纳米线的物性研究及器件研制 【工业技术】
廖蕾著2017 年出版162 页ISBN：9787562954538较系统地探究了过渡族金属氧化物纳米线的物理性质和相关应用。在研究中发现，过渡族金属氧化物一维纳米结构具有丰富的物性。采用合适的工艺技术，可以研制出性能优良的单根纳米线器件。本书发展了一条设计和研...
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功率半导体器件电场优化技术 【工业技术】
张波；罗小蓉；李肇基著2015 年出版454 页ISBN：7564732628本书分为七章，第一章为前言；第二章阐释功率半导体器件的结终端和RESURF技术；第三章分析超结的机理、解析模型、结构和工艺制造；第四章阐述SOI高压器件ENDIF理论和技术，并详细介绍ENDIF理论指导下提出的3类SOI高...
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纳米线和纳米带：材料，性能和器件 卷1 金属和半导体纳米线 【工业技术】
王中林主编2004 年出版462 页ISBN：7302082146纳米线和纳米带是目前纳米科技发展中最前沿的材料，从金属，陶瓷，半导体到高分子，几乎所有材料都可合成一维纳米结构。本书介绍了对纳米线和纳米带研究的最新成果。本卷介绍金属和半导体的纳米线的性能和器件。...
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半导体器件物理学习与考研指导 【工业技术】
孟庆巨编著2010 年出版208 页ISBN：9787030267399本书是和《半导体器件物理（第二版）》同步使用的教学辅导教材，可用于相关课程的学习和考研。本书除提纲挈领地提供了《半导体器件物理（第二版）》各章知识要点之外，对书中绝大部分的基本概念、名词术语和问题、理.....
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IGBT场效应半导体功率器件导论 【工业技术】
袁寿财著2008 年出版209 页ISBN：7030200411本书以新一代半导体功率器件IGBT为主线，系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识。内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺等。重点讨论IGBT，同时对其它器件如IGCT、CoolMOS、IGC...
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集成电路中的现代半导体器件 影印版 英文版 【工业技术】
（美）胡正明著2012 年出版354 页ISBN：9787030326652本书主要介绍与集成电路相关的几种主流半导体器件的基本原理，包括PN结二极管、MOSFET器件和双极型晶体管（BJT），同时介绍了与这些半导体器件相关的集成工艺制造技术。本书作者是美国加州伯克利大学的终身教授、...