半导体基础 第3版 【数理化】

低维半导体物理 【数理化】

本书共分为10章：晶态半导体物理、低维半导体的能带结构、低维半导体中的电子状态、调制掺杂异质结中的二维电子气输运、半导体超晶格中的电子隧穿输运、低维量子结构中的输运现象、半导体量子阱的光学性质、...

硅基应变半导体物理 【数理化】

能带结构与载流子迁移率是深入研究硅基应变材料基本属性，发展高速/高性能器件和电路的重要理论基础。本书共6章，主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容，重点讨论了如何建立硅基应变材料能管结构与教流子迁移...

半导体物理导论 【数理化】

本书的主要内容包括：第一章半导体的晶体结构与价键模型。第二章半导体的电子结构。第三章半导体中的载流子定性描述。第四章半导体中的载流子定量描述。第五章半导体中载流子的电输运。第六章低维半导体中的...

半导体物理与测试分析 【数理化】

《半导体物理与测试分析》结合半导体实际较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共6章，主要内容为：半导体的基本性质；半导体中杂质和缺陷能级；平衡态半导体中载流子的统计分布；半导体的导电性；非平衡半导体......

低能加速器在固体物理、原子物理和材料分析方面的一些应用 【数理化】

半导体物理性能手册 第2卷 上 英文 【数理化】

本册由9章组成,介绍介绍Ⅲ-Ⅴ族 半导体化合物，10.纤锌矿型氮化镓，11.立方氮化镓，12.磷化镓(差距)，13.砷化镓(砷化镓)，14.锑化镓(GaSb)，15.氮化铟(酒店)，16.磷化铟(InP)，17.砷化铟(成)，18.锑化铟(InSb)，共9种化合物的...

半导体物理实验 【数理化】

半导体物理实验是微电子科学与工程专业本科生设置的一门专业实验课，目的是培养学生掌握正确的科学实验方法，提高学生的观察分析能力、应用创新能力和实际动手能力。作为一门专业实验课程，学生通过独立完成半导...

半导体物理性能手册 第3卷 上 英文 【数理化】

本册由8章组成,介绍10立方硫化镉(c cd)，11纤锌矿型硫化镉(wcd)，12立方硒化镉(c-CdSe)，13纤锌矿硒化镉(w-CdSe)，14碲化镉(CdTe)，15立方硫化汞(β-HgS)，16汞硒化物(HgSe)，17碲化汞(HgTe)，8种化合物的结构属性、热性能...

固体量子化学 材料化学的理论基础 【数理化】